FF2MR12KM1PHOSA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
1200 В, 500 А, ?, 3.45 В
Предложений: 1 · Всего: 4 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В |
| Ток стока (Id) | 500 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | ? |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.45 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | NO |
| Входная ёмкость (Ciss) | 39.7 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | AG-62mm |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FF2MR12KM1PHOSA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 539539
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
65 742,85 ₽
от 1 шт
| от 2 шт | 65 298,29 ₽ |
| от 3 шт | 64 754,17 ₽ |
| от 4 шт | 64 052,61 ₽ |
| от 5 шт | 63 063,83 ₽ |
Наличие
4 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.