IMBG65R260M1HXTMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
650 В, 6 А, 0.346 Ом, 5.7 В
Предложений: 1 · Всего: 208 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В |
| Ток стока (Id) | 6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.346 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 5.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 201 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TO-263 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IMBG65R260M1HXTMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 567953
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
337,39 ₽
от 1 шт
| от 6 шт | 318,47 ₽ |
| от 12 шт | 303,06 ₽ |
| от 23 шт | 291,60 ₽ |
| от 45 шт | 283,08 ₽ |
Наличие
208 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.