IMT65R048M1HXUMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
650 В, 50 А, 0.064 Ом, 5.7 В
Предложений: 1 · Всего: 6 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В |
| Ток стока (Id) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.064 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 5.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1118 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | HSOF-8-1 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IMT65R048M1HXUMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 1028523
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
989,91 ₽
от 1 шт
| от 5 шт | 946,55 ₽ |
| от 9 шт | 912,13 ₽ |
| от 18 шт | 881,86 ₽ |
| от 35 шт | 861,39 ₽ |
Наличие
6 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.