IPT015N10N5ATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
100 В, 353 А, 0.0013 Ом, 3 В
Предложений: 1 · Всего: 284 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 353 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0013 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 12000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | HSOF-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPT015N10N5ATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 920240
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
173,20 ₽
от 2 шт
| от 11 шт | 162,38 ₽ |
| от 22 шт | 153,56 ₽ |
| от 44 шт | 147,00 ₽ |
| от 88 шт | 142,11 ₽ |
Наличие
284 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.