IRF830
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMSEMIКитай
550 В, 4 А, 2.2 Ом, 4 В
Предложений: 1 · Всего: 50 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 550 В |
| Ток стока (Id) | 4 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 2.2 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 560 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF830JSMSEMIТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 83582
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
19,09 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 19,09 ₽ |
Наличие
50 шт
Доставка
2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.