Технические параметры
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 20 В |
| Средний прямой ток (I_F(AV)) | 1 А |
| Макс. прямой ток (I_F) | 1 мА |
| Ударный прямой ток (I_FSM) | 9 А |
| Обратный ток (I_R) | 200 мкА |
| Рабочая температура (T_j) | от -40 до 150 |
| Корпус | SOD-323 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:PMEG2010EJ.115NXPДиоды Шоттки
😔
Нет предложений от поставщиков
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
12 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.