📦
SI2337DS-T1-GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
80 В, 2.2 А, 0.27 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 6 877 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 80 В |
| Ток стока (Id) | 2.2 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.27 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.48 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 500 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SI2337DS-T1-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 232216
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
119,12 ₽
от 3 шт
| от 16 шт | 111,19 ₽ |
| от 31 шт | 104,73 ₽ |
| от 62 шт | 99,91 ₽ |
| от 124 шт | 96,32 ₽ |
Наличие
3 980 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305803
Доставка и самовывоз
Цена
132,24 ₽
от 31 шт
Наличие
2 897 шт
Упаковка: 31 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.