STD1NK80ZT4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
800 В, 1 А, 16 Ом, 4.5 В
Предложений: 2 · Всего: 1 925 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 800 В |
| Ток стока (Id) | 1 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 16 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 45 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 160 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | DPAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STD1NK80ZT4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150112
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
36,48 ₽
от 9 шт
| от 17 шт | 35,48 ₽ |
| от 34 шт | 34,10 ₽ |
| от 68 шт | 32,06 ₽ |
| от 136 шт | 29,68 ₽ |
Наличие
1 145 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163345
Доставка и самовывоз
Цена
44,48 ₽
от 34 шт
Наличие
780 шт
Упаковка: 34 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.