Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

121 из 3124 · стр. 1/3

Наименование	Произв.	Напряжение сток-исток (Vds), В	Ток стока (Id), А	Сопротивление открытого канала (Rdson), Ом	Пороговое напряжение (Vgs th), В	Рассеиваемая мощность (Pd), Вт	Входная ёмкость (Ciss), пФ	Тип канала	Корпус	PDF
2N7002ET1G	VBsemi	60	0.31	3	2.5	0.3	40	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
2N7002ET1G-VB	VBsemi	60	0.25	2.8	2.5	0.3	25	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
2N7002LT1G	VBsemi	60	0.115	7.5	2.5	0.225	50	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
2SK2232-VB	VBsemi	60	45	0.027	3	52	1500	N-канальный	TO-220F	—
AOD403-VB	VBsemi	30	58	0.011	1	87	4000	P-канальный	TO-252 (DPAK)
APM4015PUC-TRL-VB	VBsemi	40	50	0.015	3.5	136	3000	P-канальный	TO-252 (DPAK)
BSH103-VB	VBsemi	30	6.5	0.033	1.1	1.1	335	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
BSP129-VB	VBsemi	250	0.79	2	4	3.1	140	N-канальный	SOT-223 (TO-261)
BSS138LT1G-VB	VBsemi	60	0.25	2.8	2	0.3	25	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
BSS139-VB	VBsemi	200	0.6	1.4	1.5	1.55	150	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
BSS159N	VBsemi	60	0.23	8	—	0.36	—	N-канальный	SOT-23 (TO-236)	—
FDC6420C-NL-VB	VBsemi	20	5.5	0.055	0.8	1.15	—	Комплементарный (N+P)	TSOP-6
FDD5614P	VBsemi	60	20	0.13	3	45	759	P-канальный	TO-252 (DPAK)
FDD6637-VB	VBsemi	30	58	0.011	1	87	4000	P-канальный	TO-252 (DPAK)
FDT434P-NL-VB	VBsemi	35	6.2	0.048	1.8	4.2	970	P-канальный	SOT-223 (TO-261)
FDV301N	VBsemi	25	0.22	5	1.06	0.35	9.5	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
FDV303N-VB	VBsemi	20	6	0.022	1	1.3	865	N-канальный	SOT-23 (TO-236)
IRF4905PBF	VBsemi	55	74	0.02	4	200	3400	P-канальный	TO-220 (TO-220AB)
IRF5305PBF-VB	VBsemi	60	45	0.056	3	41.7	2065	P-канальный	TO-220 (TO-220AB)
IRF5305SPBF-VB	VBsemi	60	35	0.06	2.5	61	1650	P-канальный	TO-263 (D2PAK)
IRF5305STR-VB	VBsemi	60	35	0.048	2.5	61	1650	P-канальный	TO-263 (D2PAK)
IRF5803TRPBF-VB	VBsemi	30	4.8	0.054	2	2	450	P-канальный	TSOP-6
IRF640NPBF-VB	VBsemi	200	30	0.11	3	125	1800	N-канальный	TO-220 (TO-220AB)
IRF7105TRPBF	VBsemi	25	3.5	0.25	3	2	330	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
IRF7105TRPBF-VB	VBsemi	30	8	0.018	1	2	620	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
IRF7201TRPBF-VB	VBsemi	20	13	0.011	3	2.2	800	N-канальный	SOIC-8
IRF7240TRPBF-VB	VBsemi	40	10.2	0.014	1.2	4	3007	P-канальный	SOIC-8
IRF7304TRPBF-VB	VBsemi	30	7.3	0.04	3	5	1350	P-канальный	SOIC-8
IRF7311TRPBF-VB	VBsemi	20	7.1	0.026	1.5	2	—	N-канальный	SOIC-8
IRF7313TRPBF-VB	VBsemi	30	6.8	0.026	2.5	2.7	586	N-канальный	SOIC-8
IRF7316TRPBF-VB	VBsemi	30	7.3	0.045	3	5	1350	P-канальный	SOIC-8
IRF7324TRPBF-VB	VBsemi	20	8.9	0.018	1	1.1	—	P-канальный	SOIC-8
IRF7341TRPBF	VBsemi	55	4.7	0.05	1	2	740	N-канальный	SOIC-8
IRF7341TRPBF-VB	VBsemi	60	7	0.03	2	4	600	N-канальный	SOIC-8
IRF7343TRPBF	VBsemi	55	4.7	0.05	1	2	740	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
IRF740ASPBF	VBsemi	400	10	0.55	4	125	1030	N-канальный	TO-263 (D2PAK)
IRF7416TRPBF-VB	VBsemi	30	9	0.024	2.5	4.2	1455	P-канальный	SOIC-8
IRF7473TRPBF-VB	VBsemi	100	9	0.032	1	14	1900	N-канальный	SOIC-8
IRF8736TRPBF-VB	VBsemi	30	18	0.004	3	2.5	820	N-канальный	SOIC-8
IRF9310TRPBF-VB	VBsemi	30	18	0.008	2.2	5.6	3490	P-канальный	SOIC-8
IRF9Z24NPBF-VB	VBsemi	60	40	0.062	3	2	1300	P-канальный	TO-220 (TO-220AB)
IRFL014TRPBF-VB	VBsemi	60	4.5	0.076	2.5	3	810	N-канальный	SOT-223 (TO-261)
IRFL210TRPBF-VB	VBsemi	200	0.8	1.2	2	3.1	140	N-канальный	SOT-223 (TO-261)
IRFL9014TRPBF-VB	VBsemi	60	4.8	0.055	1	2.1	1500	P-канальный	SOT-223 (TO-261)
IRFL9110TRPBF-VB	VBsemi	100	2	0.2	2	3.1	819	P-канальный	SOT-223 (TO-261)
IRFP460PBF-VB	VBsemi	500	40	0.08	3	530	8310	N-канальный	TO-247 (TO-3P)
IRFR110TRPBF	VBsemi	100	4.3	0.54	4	2.5	180	N-канальный	TO-252 (DPAK)
IRFR320TRPBF-VB	VBsemi	650	4.5	2.1	5	60	1417	N-канальный	TO-252 (DPAK)
IRFR420ATRPBF-VB	VBsemi	650	4.5	2.1	2.5	60	1417	N-канальный	TO-252 (DPAK)
IRFR5305TRPBF	VBsemi	55	31	0.065	4	110	1200	P-канальный	TO-263 (D2PAK)

←1 2 3 →