📦
2N7002ET1G-VB
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VBsemiКитай
60 В, 0.25 А, 2.8 Ом, 2.5 В
Предложений: 2 · Всего: 25 873 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 0.25 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 2.8 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.3 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 25 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2N7002ET1G-VBVBsemiТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 7058807
Склад Москва
Цена
2,18 ₽
от 1 шт
Наличие
14 973 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359044
Доставка и самовывоз
Цена
2,58 ₽
от 1 шт
Наличие
10 900 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.