1N5819 Ø0.55mm
Диоды Шоттки · Производитель: KEEN SIDEКитай
40 В, 1 мА, 1 А, 25 А
Предложений: 1 · Всего: 11 068 шт
Технические параметры
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 40 В |
| Макс. прямой ток (I_F) | 1 мА |
| Средний прямой ток (I_F(AV)) | 1 А |
| Ударный прямой ток (I_FSM) | 25 А |
| Прямое напряжение (V_F) | 0.6 В |
| Обратный ток (I_R) | 500 мкА |
| Корпус | DO-41 |
| Тип | Schottky Barrier Rectifier |
| Вес | 0.34 |
| Примечания | For capacitive load, derate current by 20%. |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | 1N5819 |
| Особенности | Schottky Barrier Chip, Guard Ring Die Construction for Transient Protection, High Current Capability, Low Power Loss, High Efficiency, High Surge Current Capability, For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection |
| Темп. диапазон | Operating and storage max: 150°C; Operating and storage min: -65°C |
| Размеры | Длина корпуса: 4.06-5.21mm; Диаметр корпуса: 2.00-3.00mm; Диаметр вывода: 0.50-0.60mm; Overall length min: 24.5mm |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:1N5819 Ø0.55mmKEEN SIDEДиоды Шоттки
Поставщик
Сэлком
Арт.: 197902
Самовывоз и доставка
Цена
1,15 ₽
от 500 шт
Наличие
11 068 шт
Доставка
1-2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
12 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.