1N60G
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
600 В, 1 А, 8.5 Ом, 4 В
Предложений: 1 · Всего: 2 800 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В |
| Ток стока (Id) | 1 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 8.5 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 12.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 150 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-223 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:1N60GHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 124226
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
4,57 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 4,57 ₽ |
Наличие
2 800 шт
Доставка
2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.