2N7002BKW,115
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
60 В, 0.31 А, 1.6 Ом, 2.1 В
Предложений: 2 · Всего: 11 831 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 0.31 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.6 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.275 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SC-70 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2N7002BKW,115NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 305240
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
9,52 ₽
от 32 шт
| от 167 шт | 8,39 ₽ |
| от 333 шт | 7,45 ₽ |
| от 665 шт | 6,73 ₽ |
| от 1 329 шт | 6,21 ₽ |
Наличие
6 905 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 164027
Доставка и самовывоз
Цена
10,00 ₽
от 333 шт
Наличие
4 926 шт
Упаковка: 333 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.