2SK3130
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: TOSКитай
600 В, 6 А, 1.12 Ом, 4 В
Предложений: 1 · Всего: 29 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В |
| Ток стока (Id) | 6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.12 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1300 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2SK3130TOSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 148423
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
43,05 ₽
от шт
| от 7 шт | 42,11 ₽ |
| от 14 шт | 40,75 ₽ |
| от 27 шт | 39,12 ₽ |
| от 50 шт | 37,28 ₽ |
Наличие
29 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.