5N10
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
100 В, 5 А, 0.115 Ом, 1.8 В
Предложений: 2 · Всего: 21 030 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.115 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.8 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 690 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:5N10HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 124802
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
2,59 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 2,59 ₽ |
Наличие
11 850 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 543867
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
6,54 ₽
от 46 шт
| от 237 шт | 5,67 ₽ |
| от 474 шт | 4,95 ₽ |
| от 947 шт | 4,39 ₽ |
| от 1 894 шт | 4,01 ₽ |
Наличие
9 180 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.