7N65
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
650 В, 7 А, 1.15 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 1 274 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В |
| Ток стока (Id) | 7 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.15 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | NO |
| Входная ёмкость (Ciss) | ? |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-220F |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:7N65HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 121993
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
16,32 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 16,32 ₽ |
Наличие
580 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 543864
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
24,78 ₽
от 13 шт
| от 50 шт | 24,04 ₽ |
| от 100 шт | 23,03 ₽ |
| от 200 шт | 21,72 ₽ |
| от 350 шт | 20,42 ₽ |
Наличие
694 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.