AP4511GED
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: APECКитай
40 В, 0.028 Ом, 3 В, 2 Вт
Предложений: 1 · Всего: 12 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 40 В |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.028 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 940 пФ |
| Тип канала | Комплементарный (N+P) |
| Корпус | SO-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:AP4511GEDAPECТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 148387
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
37,62 ₽
от шт
| от 17 шт | 36,62 ₽ |
| от 40 шт | 35,22 ₽ |
| от 80 шт | 33,15 ₽ |
| от 160 шт | 30,70 ₽ |
Наличие
12 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.