AP4525GEH
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: APECКитай
40 В, 12 А, 0.06 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 8 348 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 40 В |
| Ток стока (Id) | 12 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.06 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 10.4 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1230 пФ |
| Тип канала | Комплементарный (N+P) |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:AP4525GEHAPECТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 148421
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
20,76 ₽
от 15 шт
| от 145 шт | 18,90 ₽ |
| от 289 шт | 17,43 ₽ |
| от 577 шт | 16,15 ₽ |
| от 1 154 шт | 15,30 ₽ |
Наличие
4 854 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 175653
Доставка и самовывоз
Цена
22,50 ₽
от 289 шт
Наличие
3 494 шт
Упаковка: 289 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.