AP4533GEM
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: APECКитай
0.018 Ом, 3 В, 2 Вт, 860 пФ
Предложений: 1 · Всего: 2 шт
Технические параметры
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.018 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 860 пФ |
| Тип канала | Комплементарный (N+P) |
| Корпус | SO-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:AP4533GEMAPECТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 155318
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
119,80 ₽
от шт
| от 7 шт | 113,53 ₽ |
| от 13 шт | 107,62 ₽ |
| от 25 шт | 103,28 ₽ |
| от 49 шт | 99,28 ₽ |
Наличие
2 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.