AP9997GM
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: APECКитай
95 В, 3 А, 0.11 Ом, 3 В
Предложений: 1 · Всего: 50 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 95 В |
| Ток стока (Id) | 3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.11 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 450 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | SO-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:AP9997GMAPECТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 308056
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
33,83 ₽
от шт
| от 18 шт | 32,88 ₽ |
| от 36 шт | 31,55 ₽ |
| от 100 шт | 29,62 ₽ |
| от 150 шт | 27,39 ₽ |
Наличие
50 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.