BSH205G2R
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
20 В, 2.3 А, 0.12 Ом, 0.7 В
Предложений: 2 · Всего: 9 437 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 2.3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.12 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 0.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.89 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 418 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSH205G2RHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 124803
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
2,57 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 2,57 ₽ |
Наличие
9 000 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 301915
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
21,77 ₽
от 14 шт
| от 77 шт | 19,71 ₽ |
| от 153 шт | 18,01 ₽ |
| от 306 шт | 16,72 ₽ |
| от 611 шт | 15,77 ₽ |
Наличие
437 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.