BSS123.215
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
100 В, 0.17 А, 10 Ом, 1.7 В
Предложений: 2 · Всего: 13 168 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 0.17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 10 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.36 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 73 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSS123.215NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Сэлком
Арт.: 128551
Самовывоз и доставка
Цена
8,03 ₽
от 30 шт
Наличие
5 шт
Доставка
1-2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 184945
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
6,32 ₽
от 48 шт
| от 250 шт | 5,46 ₽ |
| от 499 шт | 4,75 ₽ |
| от 997 шт | 4,20 ₽ |
| от 1 993 шт | 3,83 ₽ |
Наличие
13 163 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.