📦
BSS169H6327-HXY
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
100 В, 0.17 А, 6 Ом, 2.5 В
Предложений: 2 · Всего: 19 796 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 0.17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 6 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.35 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 30 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSS169H6327-HXYHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Радиотехтрейд
Арт.: UT-00139139
Москва самовывоз
Цена
1,15 ₽
от 1 шт
| от 3 000 шт | 1,00 ₽ |
Наличие
10 650 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 329335
Доставка и самовывоз
Цена
1,12 ₽
от 1 шт
Наличие
9 146 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.