BSS169H6327
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
100 В, 0.17 А, 2.9 Ом, 2.2 В
Предложений: 2 · Всего: 82 144 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 0.17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 2.9 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.36 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 51 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSS169H6327HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 122817
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
0,79 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 0,79 ₽ |
Наличие
29 000 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 121250
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
10,69 ₽
от 29 шт
| от 440 шт | 9,64 ₽ |
| от 879 шт | 8,93 ₽ |
| от 1 757 шт | 8,31 ₽ |
| от 3 000 шт | 7,91 ₽ |
Наличие
53 144 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.