📦
BUK964R7-80E.118
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
80 В, 120 А, 0.0036 Ом, 1.7 В
Предложений: 1 · Всего: 95 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 80 В |
| Ток стока (Id) | 120 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0036 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 324 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11500 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BUK964R7-80E.118NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 517631
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
141,85 ₽
от 3 шт
| от 8 шт | 136,49 ₽ |
| от 15 шт | 131,31 ₽ |
| от 29 шт | 127,19 ₽ |
| от 58 шт | 124,92 ₽ |
Наличие
95 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.