📦
BUK965R8-100E,118
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
100 В, 120 А, 0.0058 Ом, 2.1 В
Предложений: 1 · Всего: 81 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 120 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0058 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 349 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 17460 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-263 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BUK965R8-100E,118NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 266629
Доставка и самовывоз
Цена
109,03 ₽
от 23 шт
Наличие
81 шт
Упаковка: 23 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.