📦
BUK965R8-100E.118
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
100 В, 120 А, 0.0058 Ом, 1.7 В
Предложений: 1 · Всего: 103 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 120 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0058 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 349 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 13100 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | SOT-404 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BUK965R8-100E.118NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 517627
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
93,15 ₽
от 4 шт
| от 12 шт | 91,68 ₽ |
| от 23 шт | 89,76 ₽ |
| от 45 шт | 87,09 ₽ |
| от 89 шт | 83,60 ₽ |
Наличие
103 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.