📦
BUK9Y19-55B,115
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NXPЗапад
55 В, 53 А, 0.019 Ом, 2.3 В
Предложений: 2 · Всего: 1 289 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Ток стока (Id) | 53 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.019 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 85 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1494 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT669 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BUK9Y19-55B,115NXPТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 406638
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
93,57 ₽
от 4 шт
| от 20 шт | 87,07 ₽ |
| от 39 шт | 81,76 ₽ |
| от 78 шт | 77,80 ₽ |
| от 156 шт | 74,85 ₽ |
Наличие
750 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237577
Доставка и самовывоз
Цена
103,68 ₽
от 39 шт
Наличие
539 шт
Упаковка: 39 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.