CSD16406Q3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
25 В, 60 А, 0.0074 Ом, 2.2 В
Предложений: 2 · Всего: 149 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 25 В |
| Ток стока (Id) | 60 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0074 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 46 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1100 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | VSON-8(3.3x3.3) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD16406Q3Texas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 190697
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
42,19 ₽
от 8 шт
| от 15 шт | 41,14 ₽ |
| от 29 шт | 39,68 ₽ |
| от 57 шт | 37,50 ₽ |
| от 113 шт | 34,82 ₽ |
Наличие
83 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305775
Доставка и самовывоз
Цена
51,51 ₽
от 29 шт
Наличие
66 шт
Упаковка: 29 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.