CSD17308Q3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
30 В, 47 А, 0.0125 Ом, 1.8 В
Предложений: 2 · Всего: 2 548 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 47 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0125 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.8 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 700 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | VSON-CLIP-8(3.3x3.3) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD17308Q3Texas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237571
Доставка и самовывоз
Цена
69,52 ₽
от 59 шт
Наличие
7 шт
Упаковка: 59 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 387583
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
81,70 ₽
от 4 шт
| от 40 шт | 76,43 ₽ |
| от 79 шт | 72,24 ₽ |
| от 158 шт | 68,57 ₽ |
| от 315 шт | 66,10 ₽ |
Наличие
2 541 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.