CSD17310Q5A
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
30 В, 100 А, 0.0051 Ом, 1.8 В
Предложений: 2 · Всего: 708 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 100 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0051 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.8 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1560 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | VSONP-8(5x6) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD17310Q5ATexas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 592330
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
61,14 ₽
от 5 шт
| от 31 шт | 56,49 ₽ |
| от 61 шт | 52,69 ₽ |
| от 122 шт | 49,85 ₽ |
| от 243 шт | 47,72 ₽ |
Наличие
410 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 323083
Доставка и самовывоз
Цена
67,26 ₽
от 61 шт
Наличие
298 шт
Упаковка: 61 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.