CSD18543Q3A
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Texas InstrumentsЗапад
60 В, 35 А, 0.0081 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 631 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 35 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0081 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 66 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 885 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | VSONP-8(3.3x3.3) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:CSD18543Q3ATexas InstrumentsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 377006
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
46,72 ₽
от 7 шт
| от 71 шт | 43,27 ₽ |
| от 142 шт | 40,53 ₽ |
| от 283 шт | 38,14 ₽ |
| от 565 шт | 36,53 ₽ |
Наличие
365 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 323179
Доставка и самовывоз
Цена
51,52 ₽
от 142 шт
Наличие
266 шт
Упаковка: 142 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.