DMG1012T-7
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Diodes IncЗапад
20 В, 0.63 А, 0.5 Ом, 1 В
Предложений: 2 · Всего: 9 975 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 0.63 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.5 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.28 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 60.67 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-523 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:DMG1012T-7Diodes IncТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 354768
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
8,20 ₽
от 37 шт
| от 194 шт | 7,18 ₽ |
| от 388 шт | 6,33 ₽ |
| от 776 шт | 5,67 ₽ |
| от 1 551 шт | 5,21 ₽ |
Наличие
5 661 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305889
Доставка и самовывоз
Цена
8,56 ₽
от 388 шт
Наличие
4 314 шт
Упаковка: 388 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.