DMG2305UX-13
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Diodes IncЗапад
20 В, 4.2 А, 0.052 Ом, 0.9 В
Предложений: 2 · Всего: 1 023 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 4.2 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.052 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 0.9 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.4 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 808 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:DMG2305UX-13Diodes IncТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 342533
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
12,13 ₽
от 25 шт
| от 126 шт | 10,81 ₽ |
| от 252 шт | 9,72 ₽ |
| от 504 шт | 8,88 ₽ |
| от 1 007 шт | 8,27 ₽ |
Наличие
601 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305822
Доставка и самовывоз
Цена
12,86 ₽
от 252 шт
Наличие
422 шт
Упаковка: 252 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.