DMG2307L-7
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Diodes IncЗапад
30 В, 2.5 А, 0.134 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 2 429 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 2.5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.134 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.36 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 371.3 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:DMG2307L-7Diodes IncТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 192662
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
6,38 ₽
от 48 шт
| от 83 шт | 5,92 ₽ |
| от 165 шт | 5,41 ₽ |
| от 330 шт | 4,87 ₽ |
| от 659 шт | 4,44 ₽ |
Наличие
1 427 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305827
Доставка и самовывоз
Цена
7,42 ₽
от 165 шт
Наличие
1 002 шт
Упаковка: 165 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.