FCP22N60N
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: onsemiЗапад
600 В, 22 А, 0.165 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 55 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В |
| Ток стока (Id) | 22 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.165 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 39 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1950 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FCP22N60NonsemiТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 197134
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
377,59 ₽
от 1 шт
| от 3 шт | 365,48 ₽ |
| от 6 шт | 353,82 ₽ |
| от 12 шт | 344,55 ₽ |
| от 24 шт | 339,45 ₽ |
Наличие
32 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 332160
Доставка и самовывоз
Цена
434,65 ₽
от 6 шт
Наличие
23 шт
Упаковка: 6 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.