FDD8447L
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
40 В, 50 А, 0.007 Ом, 1.9 В
Предложений: 2 · Всего: 2 135 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 40 В |
| Ток стока (Id) | 50 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.007 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.9 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1970 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDD8447LHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 127109
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
22,14 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 22,14 ₽ |
Наличие
375 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 136512
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
41,48 ₽
от 8 шт
| от 80 шт | 38,33 ₽ |
| от 160 шт | 35,82 ₽ |
| от 319 шт | 33,63 ₽ |
| от 637 шт | 32,16 ₽ |
Наличие
1 760 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.