FDN338P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMSEMIКитай
20 В, 1.6 А, 0.13 Ом, 0.3 В
Предложений: 2 · Всего: 12 416 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 1.6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.13 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 0.3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 677 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDN338PJSMSEMIТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 120790
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
3,71 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 3,71 ₽ |
Наличие
8 300 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 526704
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
4,89 ₽
от 62 шт
| от 187 шт | 4,44 ₽ |
| от 373 шт | 4,01 ₽ |
| от 745 шт | 3,63 ₽ |
| от 1 489 шт | 3,35 ₽ |
Наличие
4 116 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.