FDN357N
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
30 В, 1.9 А, 0.09 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 10 666 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 1.9 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.09 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 235 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDN357NHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 124780
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
5,52 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 5,52 ₽ |
Наличие
9 000 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 197589
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
7,28 ₽
от 42 шт
| от 74 шт | 6,77 ₽ |
| от 147 шт | 6,21 ₽ |
| от 293 шт | 5,61 ₽ |
| от 585 шт | 5,11 ₽ |
Наличие
1 666 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.