FDS4435BZ
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMSEMIКитай
30 В, 8.8 А, 0.02 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 3 285 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 8.8 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.02 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1845 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOP-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDS4435BZJSMSEMIТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 127465
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
9,63 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 9,63 ₽ |
Наличие
2 300 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 197691
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
25,64 ₽
от 12 шт
| от 74 шт | 23,23 ₽ |
| от 148 шт | 21,26 ₽ |
| от 295 шт | 19,75 ₽ |
| от 589 шт | 18,64 ₽ |
Наличие
985 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.