📦
FDV303N
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: UMWКитай
25 В, 0.68 А, 0.45 Ом, 0.8 В
Предложений: 2 · Всего: 12 477 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 25 В |
| Ток стока (Id) | 0.68 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.45 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 0.8 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.35 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FDV303NUMWТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 145866
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
4,73 ₽
от 64 шт
| от 882 шт | 4,13 ₽ |
| от 1 764 шт | 3,71 ₽ |
| от 3 000 шт | 3,36 ₽ |
| от 9 000 шт | 3,16 ₽ |
Наличие
12 456 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Резонит
Арт.: 00000002538
Зеленоград , Екатеринбурге, Краснодаре, Нижнем Новгороде, Ростове-на-Дону, Уфе бесплатно. В остальном платно: СДЭК, почта России, Деловые линии.
Цена
10,90 ₽
от 12 шт
Наличие
21 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.