FQD7P20TM
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: onsemiЗапад
200 В, 5.7 А, 0.9 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 5 435 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 200 В |
| Ток стока (Id) | 5.7 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.9 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 960 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FQD7P20TMonsemiТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 307047
Доставка и самовывоз
Цена
37,42 ₽
от 2500 шт
Наличие
4 550 шт
Упаковка: 2500 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 198571
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
57,83 ₽
от 6 шт
| от 18 шт | 55,18 ₽ |
| от 35 шт | 52,60 ₽ |
| от 69 шт | 50,54 ₽ |
| от 137 шт | 49,42 ₽ |
Наличие
885 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.