FQT7N10LTF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ElecSuperКитай
100 В, 1.7 А, 0.38 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 1 862 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 1.7 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.38 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 290 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-223 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:FQT7N10LTFElecSuperТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 127578
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
13,64 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 13,64 ₽ |
Наличие
950 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 198691
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
57,01 ₽
от 6 шт
| от 34 шт | 52,58 ₽ |
| от 67 шт | 48,96 ₽ |
| от 134 шт | 46,24 ₽ |
| от 268 шт | 44,21 ₽ |
Наличие
912 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.