📦
HKTD15N10
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HotTechКитай
100 В, 15 А, 0.11 Ом, 1 В
Предложений: 2 · Всего: 13 393 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 15 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.11 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 800 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:HKTD15N10HotTechТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 543869
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
10,18 ₽
от 30 шт
| от 172 шт | 8,96 ₽ |
| от 344 шт | 7,95 ₽ |
| от 687 шт | 7,16 ₽ |
| от 1 374 шт | 6,61 ₽ |
Наличие
7 752 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305842
Доставка и самовывоз
Цена
10,66 ₽
от 344 шт
Наличие
5 641 шт
Упаковка: 344 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.