📦
HKTD4N65
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HotTechКитай
660 В, 4 А, 2.6 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 3 326 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 660 В |
| Ток стока (Id) | 4 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 2.6 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 23.1 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 450 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:HKTD4N65HotTechТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 543868
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
15,18 ₽
от 20 шт
| от 37 шт | 14,52 ₽ |
| от 74 шт | 13,64 ₽ |
| от 148 шт | 12,54 ₽ |
| от 295 шт | 11,50 ₽ |
Наличие
1 940 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305845
Доставка и самовывоз
Цена
18,17 ₽
от 74 шт
Наличие
1 386 шт
Упаковка: 74 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.