📦
HKTG150N03
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HotTechКитай
30 В, 150 А, 0.006 Ом, 2.4 В
Предложений: 2 · Всего: 3 777 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 150 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.006 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4500 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | PDFN5x6 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:HKTG150N03HotTechТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 526871
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
13,96 ₽
от 22 шт
| от 121 шт | 12,46 ₽ |
| от 241 шт | 11,21 ₽ |
| от 482 шт | 10,26 ₽ |
| от 963 шт | 9,57 ₽ |
Наличие
2 215 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 305874
Доставка и самовывоз
Цена
14,81 ₽
от 241 шт
Наличие
1 562 шт
Упаковка: 241 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.