HXY5N50D
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
500 В, 5 А, 1.45 Ом, 4 В
Предложений: 1 · Всего: 1 850 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 500 В |
| Ток стока (Id) | 5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.45 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 24.5 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 415 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:HXY5N50DHXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 123203
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
10,38 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 10,38 ₽ |
Наличие
1 850 шт
Доставка
2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.