IPD80R1K0CEATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
800 В, 5.7 А, 0.95 Ом, 3.9 В
Предложений: 1 · Всего: 2 525 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 800 В |
| Ток стока (Id) | 5.7 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.95 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.9 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 785 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-252-3 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPD80R1K0CEATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 203400
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
60,23 ₽
от 5 шт
| от 56 шт | 56,03 ₽ |
| от 112 шт | 52,70 ₽ |
| от 223 шт | 49,78 ₽ |
| от 446 шт | 47,81 ₽ |
Наличие
2 525 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.