IPP80N06S2L07AKSA2
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
55 В, 80 А, 0.0056 Ом, 1.6 В
Предложений: 1 · Всего: 17 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Ток стока (Id) | 80 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0056 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.6 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3160 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPP80N06S2L07AKSA2INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 439114
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
69,43 ₽
от шт
| от 5 шт | 68,26 ₽ |
| от 9 шт | 66,61 ₽ |
| от 17 шт | 64,53 ₽ |
| от 33 шт | 61,98 ₽ |
Наличие
17 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.