IPP80R1K4P7XKSA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
800 В, 4 А, 1.4 Ом, 3.5 В
Предложений: 1 · Всего: 27 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 800 В |
| Ток стока (Id) | 4 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.4 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 250 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220-3 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPP80R1K4P7XKSA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 347816
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
29,14 ₽
от шт
| от 11 шт | 28,32 ₽ |
| от 19 шт | 27,16 ₽ |
| от 38 шт | 25,85 ₽ |
| от 76 шт | 24,49 ₽ |
Наличие
27 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.